摘要： 碳化硅(SiC)材料對(duì)TRISO顆粒的安全性能有重要影響，因此有必要對(duì)SiC層的輻照行為和力學(xué)性能進(jìn)行研究。本文采用分子動(dòng)力學(xué)模擬對(duì)等軸狀多晶和長(zhǎng)軸狀多晶兩類SiC層進(jìn)行輻照行為模擬，計(jì)算發(fā)現(xiàn)，SiC層的輻照腫脹程度和力學(xué)性能的理論值與實(shí)驗(yàn)值吻合較好。通過腫脹程度、密度、原子結(jié)構(gòu)類型、點(diǎn)缺陷演化等參量詳細(xì)考察了SiC層的輻照行為。結(jié)果表明，輻照過程中的非晶化存在晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為中... （共12頁(yè)）