摘要： 單晶碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料性能成為下一代電力電子器件和光電子器件的優(yōu)選襯底材料,但碳化硅的高硬脆性，強化學惰性對其高效精密加工帶來了巨大挑戰(zhàn)。提出一種基于摩擦誘導化學作用與低硬度磨粒機械作用復(fù)合的SiC晶片加工新思路。跟蹤了4H-SiC在不同鐵基燒結(jié)盤以及不同加工工藝參數(shù)下材料去除率隨時間的變化；檢測了加工后晶片的表面質(zhì)量及亞表面損傷。實驗結(jié)果表明摩擦誘導化學機械復(fù)合... （共10頁）