摘要： 極紫外光刻技術(shù)是支撐最先端半導體芯片制造工藝的關(guān)鍵核心技術(shù)，有力推動了3 nm工藝節(jié)點的量產(chǎn)以及2 nm工藝節(jié)點的研發(fā)進程。極紫外光刻中的隨機缺陷是限制其良率提升的關(guān)鍵難題。一方面，急劇減小的光刻圖形特征尺寸對光刻膠各組分化學結(jié)構(gòu)的規(guī)整性要求越來越高，而光刻膠中存在的組分不均一、后烘過程中光酸遷移距離以及位置的不確定性等因素都會導致缺陷，這些統(tǒng)稱為化學隨機性問題。另一方面，極紫... （共20頁）