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              考慮驅動電壓與開關時序協(xié)同調控的Si/SiC混合器件開關策略
              
				
              
					 中國電機工程學報 
					  頁數(shù)： 12  2023-12-25 
				
              
				
              
					摘要： 硅基(Si)絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)和碳化硅基(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)并聯(lián)組成的Si/SiC混合器件，已被證實具有SiC MOSFET的高開關頻率、低開關損耗特性和Si IGBT... （共12頁） 
               
              
					
					
				
              
				
				
				
				
              
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