壓接型IGBT芯片的參數(shù)分散性對其并聯(lián)時關斷均流的影響
中國電機工程學報
頁數(shù)： 12 2023-02-10
摘要： 壓接型絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的多芯片并聯(lián)關斷期間會出現(xiàn)嚴重的不均流現(xiàn)象，直接影響到器件的關斷可靠性。文中重點研究壓接型IGBT芯片參數(shù)對其并聯(lián)時關斷均流的影響，首先，根據(jù)IGBT單芯片的關斷機理和波形，分析芯片參數(shù)對IGBT單芯片關斷各個階段內集電極電流變化的影響規(guī)律；其次，定義多芯片并聯(lián)關斷波形中出現(xiàn)的... （共12頁）
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