能譜分析儀的構(gòu)造如圖4-2所示,其工作過(guò)程為:樣品在高能電子束轟擊下產(chǎn)生的特征X射線光子被Si(Li)探頭接受以后,其信號(hào)產(chǎn)生總電荷,總電荷電量為Q=1.9×10-19E/3.6(庫(kù)侖),總電量在FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中積分,形成電流脈沖,然后反饋到前置放 (共 378 字) [閱讀本文] >>
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 能譜分析儀的構(gòu)造如圖4-2所示,其工作過(guò)程為:樣品在高能電子束轟擊下產(chǎn)生的特征X射線光子被Si(Li)探頭接受以后,其信號(hào)產(chǎn)生總電荷,總電荷電量為Q=1.9×10-19E/3.6(庫(kù)侖),總電量在FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中積分,形成電流脈沖,然后反饋到前置放 (共 378 字) [閱讀本文] >>