影響：

　　IGBT技術不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應用的需求。與逆變器設計應用功率或各自額定電流水平相關的開關速度和軟度要求是推動這些不同型號器件優(yōu)化的主要動力。這些型號包括具備快速開關特性的T4芯片、具備軟開關特性的P4芯片和開關速度介于T4和P4之間的E4芯片。

對高效IGBT逆變器設計的影響：

　　隨著雜散電感的增大，IGBT的開通損耗會降低，二極管損耗則會增大。雜散電感還可能導致振蕩，比如由電流突變引起的振蕩，這可能導致由于EMI或過壓限制而引起的器件使用受限。